Ученые из МФТИ совместно с российскими и зарубежными коллегами сделали важное открытие, которое может привести к созданию нового поколения электронных устройств. Они обнаружили, что небольшие дефекты в структуре особого материала — феррита никеля — могут кардинально менять его свойства, в частности, проводимость.
Феррит никеля — это прочный и устойчивый материал, который уже давно привлекает внимание ученых. Новое исследование показало, что, если в его кристаллической решетке есть «точечные дефекты» (небольшие нарушения в расположении атомов), материал начинает вести себя по-другому. Эти изменения могут быть использованы для создания микросхем резистивной памяти.
«Это перспективный материал для спинтроники и производства микросхем резистивной памяти. В спиновых устройствах используется не только заряд электрона, но и его спин, создающий магнитное поле. Резистивная память работает со скоростью оперативной, но в то же время сохраняет данные при отключении электропитания, подобно внешнему диску. В основе микросхем резистивной памяти лежит структура: металл — изолятор — металл», — сообщил руководитель лаборатории суперкомпьютерных методов в физике конденсированного состояния МФТИ Владимир Стегайлов.
Ученые применили сложные математические методы для анализа кристаллической структуры феррита никеля и выявили, как именно дефекты влияют на его свойства. Это открытие может открыть путь к созданию более быстрых, надежных и энергоэффективных электронных устройств будущего.
Ранее REGIONS сообщил, что МФТИ в сотрудничестве с банком разработали управляющий алгоритм для робособаки.
